Samsung запустит массовое производство памяти HBM4 в феврале 2026 года: чипы прошли тесты Nvidia

После неудачи с крупными поставками HBM3E для Nvidia в Samsung сделали выводы и теперь уверяют, что с памятью следующего поколения история не повторится. По данным отраслевых источников, компания готовит запуск массового выпуска HBM4 на февраль 2026 года, причем производить чипы планируют на площадке в Пхентхэке.

Важно и то, что Samsung уже получила позитивный сигнал от ключевого клиента: HBM4 успешно прошла проверку качества со стороны Nvidia. Примерно в те же сроки к серийному производству своих HBM4 собирается приступить и главный конкурент, SK Hynix, так что гонка за контракты в 2026 году будет особенно жесткой.

Основной объем памяти Samsung, как ожидается, уйдет в ускорители ИИ нового поколения Nvidia под названием Vera Rubin, старт которых намечен на вторую половину 2026 года. Часть партий также предназначена для Google, где HBM4 будет использоваться в тензорных процессорах TPU седьмого поколения.

Технологически компании разошлись в подходах: SK Hynix выбрала 12-нм техпроцесс для базовой матрицы, а Samsung применила 10-нм, что, по сообщениям, дает преимущество по производительности. Во внутренних испытаниях Samsung якобы достигла скорости до 11,7 Гбит/с.

При этом мощности по HBM у обоих производителей, как утверждается, уже расписаны на следующий год. Из-за сохраняющегося дефицита ИИ-компании стараются выкупить максимум памяти заранее, иначе возможны сбои у Amazon, Google, Microsoft и OpenAI. Для Samsung это означает потенциальные многомиллиардные доходы. Сергей Никифоров