Samsung пересматривает цены на HBM и DRAM: из-за дефицита память может подорожать до 50%

Глобальная технологическая индустрия столкнулась с беспрецедентным дефицитом критически важного компонента — высокоскоростной памяти HBM3E. На фоне экспоненциального роста спроса на вычислительные мощности для искусственного интеллекта и машинного обучения цены на эти специализированные чипы взлетели до небес. Согласно данным рынка, стоимость одного 12-слойного модуля HBM3E производства южнокорейских гигантов Samsung и SK Hynix в ходе перезаключения контрактов выросла примерно на 50%, достигнув отметки в 500 долларов за чип. Это рекордное подорожание отражает глубокий структурный дисбаланс между стремительно растущим спросом и физически ограниченными возможностями производства.

Причина ажиотажа кроется в уникальных характеристиках памяти HBM (High Bandwidth Memory). В отличие от стандартных модулей DRAM, эта технология обеспечивает колоссальную пропускную способность за счет вертикальной компоновки чипов и использования технологии TSV (Through-Silicon Vias). Именно этот параметр — скорость передачи данных — является ключевым для современных графических ускорителей и тензорных процессоров, обрабатывающих огромные массивы информации в нейросетях. Без поставок HBM3E становится невозможным выпуск новейших GPU от NVIDIA, AMD и других производителей, что ставит под угрозу развертывание ИИ-инфраструктуры по всему миру (фото: Samsung).

Основная проблема заключается в крайней сложности быстрого наращивания производственных мощностей. Процесс создания HBM3E — это вершина полупроводниковой инженерии, требующая безупречного совмещения десятков слоев кристаллов. Компании Samsung, пытаясь отреагировать на кризис, начала конвертацию части линий по производству флеш-памяти NAND под выпуск DRAM, однако этот процесс требует времени и не дает мгновенного результата. Конкурент SK Hynix, являющийся одним из лидеров рынка, также сможет существенно увеличить объемы поставок лишь во второй половине 2026 года после ввода в строй нового завода. В результате образовавшийся дефицит и цены, которые производители диктуют даже давним партнерам, создают эффект домино: удорожание памяти ведет к росту стоимости готовых ускорителей, что, в свою очередь, повышает затраты на создание и эксплуатацию дата-центров по всему миру.

Сложившаяся ситуация, по прогнозам аналитиков, не изменится в ближайшие 12–18 месяцев. Тенденция к удорожанию высокоскоростной памяти сохранится как минимум до конца 2026 года, что будет оказывать постоянное инфляционное давление на всю цепочку создания стоимости в сфере высоких технологий. Этот кризис также подстегивает геополитическую гонку: правительства и корпорации в США, Европе и Китае ускоряют инвестиции в развитие собственных полупроводниковых мощностей, стремясь снизить зависимость от нескольких азиатских поставщиков. Александр Степанов